静态梯度场中的被动磁屏蔽
作者
Bidinosti,C。P.
马丁,J。W。
日期
2014引用
Bidinosti,C。P.和J. W. Martin。“静态梯度场中的被动磁屏蔽。”AIP进步4(2014):第1条。047135(16页)。doi:10.1063/1.4873714。
抽象的
研究了两个理想化的屏蔽模型,研究了外部和内部源施加的无源磁屏蔽对DC磁场梯度的影响:线性材料的同心球形和无限长的圆柱形壳。发现外部施加的磁场的高阶多物始终可以通过与多极的顺序相关的因素逐渐屏蔽。关于内部线圈系统的设计,我们确定了一般多极场的反应因素,并提供了如何利用线圈与最内膜的耦合以优化磁场均匀性的示例。此外,我们提供与主动磁补偿系统相关的公式,该公式试图通过感测和取消靠近最外壳的外部场来稳定内部场。总体而言,这项工作提供了一个综合框架,可用于分析和优化DC磁屏蔽,作为理论和概念设计指南以及有限元分析的起点和基准。